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半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法

内容背静 这项目流程在长三角经济圈型的地区某地方级半导体行业产业发展观赏区,企业主主要生产销售8厘米和12厘米晶圆,日产尼桑量做到2万片。不断地产能利用率提高,同一的污水处里操作系统已没有达到生态环保追求,亟需提升改建。项目流程总融资约1200万元,设计的概念处里专业能力为300吨/日,于2023年开工建设投入运营。 电镀废水的成分及渠道 该单位晶圆片区加工过程产生的焦化废水主要是蕴含一下有效成分: 切的时候中操作的研磨机液残余物,基本材料为二被氧化硅粒子、的表面抗逆性剂和巧妙增添剂 晶圆接触面刷洗有的含氟废水处理工艺,氟亚铁离子氧浓度在80-120mg/L 少许血本属铝离子如铜、镍等,原因于切割器方式摩擦 可挥发高沸点溶剂残留物,涉及异丙醇、甲苯等 pH值跌涨较大的,一般是在4-10直接 处置技术步骤流程 涉及废水外理方法形态,设计制作选用"物理预外理+生物化学外理+纵深外理"的团体生产工艺: 调理池 :均等化水体质量储水量,设备pH网络检测和电脑自动投加软件系统 水泥混凝土积淀 :添加PAC和PAM,弄掉飘浮物和胶体溶液物 气浮第一单元 :选择溶气气浮加工过程进每一步的还原体积小小粒和区域充分物 生物化加工处理 :选择MBR膜怪物影响器,污泥处理质量浓度稳定在8000-10000mg/L 深度.工作 :活力炭吸咐+反参透艺,确保安全生产冒水合格 污泥整理整理 :板框隔膜压滤机脱水处理,飞灰水分含量率降下来60%下列 解决结果 系统性安全启动后,出液水环境全完成《电子元器件鑫霖环保水弄脏物的环保排放量标准化》(GB39731-2020)很的排放量卫生防护距离请求: COD<30mg/L 氟铁离子<5mg/L 飘浮物<10mg/L 巨资属每一项统计指标均压低限制值 的项目常年可提高污染源物废气排缩量上涨约COD 32吨、氟化物8.5吨,中水回用水率做到75%及以上,为公司合理利用电费拨出约115万元/年。

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